Intel:我们1.8nm工艺轻松打败台积电2nm 2年内没对手

科技号12月23日消息,据国外媒体报道称,Intel的CEO接受采访时表示,自家的18A制程(1.8nm)比领先台积电N2,在这块他们2年内没有对手。

报道称,英特尔的未来取决于重新获得半导体制造领域的技术领先地位,这位CEO相信这将在两年内实现。

在Intel的CEO看来,其对20A和18A充满信心,主要是因为它们采用了RibbonFET架构,即全栅极 (GAA) 晶体管和背面功率传输技术。

这些技术对于制造2nm芯片的公司来说至关重要,可以在降低功率泄漏的同时实现更高的逻辑密度和时钟速度。

与此同时,台积电的N3P和其他即将推出的3nm节点将继续使用成熟的FinFET架构,直到英特尔一年后的N2节点转向GAA。

不过台积电并不买账,公司总裁魏哲家之前声称,根据内部评估,台积电N3P 3nm工艺在性能方面就可以媲美Intel 18A,而且更早推出、更成熟、更省成本。

他还强调,台积电的2nm工艺比Intel 18A更加先进,2025年推出的时候将成为最先进的制程工艺。

值得一提的是,Intel的CEO之前还表示,英伟达的成功都是运气。

Intel:我们1.8nm工艺轻松打败台积电2nm 2年内没对手

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