32Gb、400MB/s带宽!江波龙首颗自研2D MLC NAND Flash闪存发布

科技号2月2日消息,日前,继自研SLC NAND Flash系列产品规模化量产后,江波龙首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash正式发布。

该产品采用BGA132封装,支持Toggle DDR模式,数据访问带宽可达400MB/s将有望应用于eMMC、SSD等产品上。

32Gb、400MB/s带宽!江波龙首颗自研2D MLC NAND Flash闪存发布

江波龙表示,近年来在存储芯片自主研发投入了大量的精力和资源,公司引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。

据介绍,该团队不仅精通闪存芯片设计技术,还对于流片工艺制程、产品生产过程有深入了解,对4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富经验。

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在产品测试方面,江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路,配合自主开发的测试平台,实现高效生产测试。

目前,江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力,并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。

值得一提的是,江波龙除了在NAND Flash芯片领域持续发力,还在DRAM芯片方面进行深入研究。

据江波龙介绍,2023年就已推出复合式存储nMCP,将自研SLC NAND Flash和通过自研测试平台验证的LPDDR4x进行合并封装,实现高频低耗、宽温运行的优异特性,可充分满足5G网络模块存储需求。

江波龙表示,未来将继续大力投入存储芯片的自主研发,深入挖掘NAND Flash、DRAM存储芯片的应用潜力。

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